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SF6气体制备方法及用途

SF6气体制备方法及用途转自百度百科:1、直接合成法 经净化后的氟(含HF≤0.5%)和硫反应生成六氟化硫及少量的S2F10、SF4、SF2和S2F2。经水洗、碱洗除去绝大部分杂质气体,再经热解炉分解

S2F10成SF6和SF4(300~350℃),然后经碱洗进一步除去杂质,净化后的SF6气体经硅胶及分子筛干燥器干燥后,制得六氟化硫产品。

将硫、二氯化硫、一氯化硫、二硫化碳或硫化氢等加入到无水氟化氢中,以镍为阳极进行电解即可制得六氟化硫。或氟和硫直接反应制备六氟化硫。还可以金属

氧化物为催化剂于300℃下用空气氧化四氟化硫,或者在500~2000℃使氟化硫热解。

2、以长约300mm直径25mm的镍管为反应器,将盛有硫粉的镍舟置于其中,反应管与一石英阱连接,石英阱以液态氧冷却。装置的末端与一装有新脱水的KF的铁制

干燥管相连,以隔离空气中的湿气。硫在氟气流中燃烧,生成的产物凝聚在冷阱中。随后进行纯化,使产物气化并通过10%的KOH热溶液(不用NaOH)洗涤除去其

中的杂质(HF,SF2,SF4,SOF2,S2F10)。然后用P4O10干燥产物气体,并在室温下通过活性炭除去S2F10。

3、使SO2在过量的F2中燃烧可生成SF6。反应温度约650℃,产物在冷阱中凝聚,其中除SF6外主要杂质是SO2F2。纯化时将其通过装有水和热的10%KOH溶液的洗涤

瓶,最后用P4O10干燥。

4.元素氟和硫直接反应法。

直接电解法 将硫、二氯化硫、一氯化硫、二硫化碳或硫化氢等加入到无水氟化氢中,以镍为阳极进行电解即可制得六氟化硫。用硫化氢与无水氢氟酸电解时,

以镍作极,铁作阴极,温度为-10~20℃,电压为7~20V。电解产物应除去杂质;催化氧化法 金属氧化物为催化剂,于300℃下,用空气氧化四氟化硫,该法缺

点是收率过低。

热解法,在500~2000℃使SF4热解,但该法的转换率及收率皆低,采用微波放电分解SF4亦可。氟化钴法 将硫磺或其他硫化物在三氟化钴和二氯化钴存在下与过

量氟作用以制备六氟化硫。二氧化硫与氟燃烧法。联产法 氯氟代甲烷和六氟化硫联产,氟化碳(COF2)与六氟化硫联产。

SF6气体作用用途

1、新一代超高压绝缘介质材料。作为良好的气体绝缘体,被广泛用于电子、电气设备的气体绝缘。电子级高纯六氟化硫是一种理想的电子蚀刻剂,广泛应用于微

电子技术领域,用作电脑芯片、液晶屏等大型集成电路制造中的等离子刻蚀及清洗剂。在光纤制备中用作生产掺氟玻璃的氟源,在制造低损耗优质单模光纤中用

作隔离层的掺杂剂。还可用作氮准分子激光器的掺加气体。在气象、环境检测及其他部门用作示踪剂、标准气或配制标准混合气。在高压开关中用作灭弧和大容

量变压器绝缘材料。也可用于粒子加速器及避雷器中。利用其化学稳定性好和对设备不腐蚀等特点,在冷冻工业上可用作冷冻剂(操作温度-45~0℃之间)。由

于对α粒子有高度的停止能力,还用于放射化学。此外还作为一种反吸附剂从矿井煤尘中置换氧。

2、可用于有色金属的冶炼和铸造工艺,也可用于铝及其合金熔融物的脱气和纯化。在微电子业中,可用六氟化硫蚀刻硅表面并去除半导体材料上的有机或无机膜

状物,并可在光导纤维的制造过程中,作为单膜光纤隔离层掺杂剂。加有六氟化硫的电流遮断器额定电压高,且不易燃烧,另外,六氟化硫还用于各种加速器、

超高压蓄电器、同轴电缆和微波传输的绝缘介质。目前六氟化硫是应用较为广泛的测定大气污染的示踪剂,示踪距离可达100km。六氟化硫化学稳定性好,对设备

不腐蚀,在冷冻工业中可作为冷冻剂(操作温度在-45~0℃之间),作制冷剂替代氟利昂,对臭氧层完全没有破坏作用,符合环保和使用性能的要求,是一种很有

发展潜力的制冷剂。用作电气绝缘介质和灭弧剂,测定大气污染程度的示踪剂。

3、主要用于高压开关中灭弧,在大容量变压器和高压电缆中作为绝缘材料使用。可在核粒子加速器及避雷器X射线设备中作为气体的绝缘材料,利用SF6化学稳定

性好,对设备不腐蚀,在冷冻工业中可作为冷冻剂(操作温度在-45~0℃之间),SF6对α-粒子有高度的停止能力,故在放射化学中也有应用;也可作为一种反

吸附剂从矿井煤尘中置换氧。

4、用作电子设备和雷达波导的气体绝缘体。
SF6气体制备方法及用途

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